En una indústria caracteritzada pel ràpid avanç de la tecnologia de semiconductors, l'anàlisi precisa de senyals estàtics ha estat des de fa temps un repte per als enginyers d'anàlisi de fallades.El treball innovador encapçalat per l'analista de fallades Amrutha Sampath ha fet avenços significatius en abordar aquest aspecte crític de la detecció de senyals estàtics, oferint beneficis valuosos a la comunitat global d'anàlisi de fallades. Enfocaments innovadors per a la detecció de senyals estàtics en la seguretat de maquinari La introducció del Laser Logic State Mapping (LLSM) per a la detecció de senyals estàtics marca un avanç notable, amb implicacions de llarg abast. Inicialment presentat a l'ISTFA 2014 per identificar els valors de bit de memòria, LLSM va ser limitat en la seva aplicació. No obstant això, Amrutha Sampath i el seu equip van ampliar amb èxit el seu ús en la detecció de senyals estàtics, abordant una bretxa crítica en les tècniques analítiques basades en làser. A mesura que els dispositius integren mecanismes de protecció cada vegada més sofisticats, incloent-hi els mòduls de seguretat de maquinari (HSM), les màquines d'estat asíncrones complexes i els processos d'arrencada segura, els enfocaments d'anàlisi convencionals poden faltar en la seva capacitat de detectar i analitzar senyals estàtics, essencial per a l'avaluació de seguretat completa i l'anàlisi de fallades. Solució de problemes visionaris en camps tècnics En ampliar el LLSM més enllà de la seva aplicació original, ha abordat una limitació significativa en l'anàlisi de fallades de semiconductors, millorant així la precisió del diagnòstic de senyals estàtics a través de tècniques innovadores basades en làser. En els escenaris en què els dispositius segurs s'enfronten a fallades operatives o es tornen irresponsables durant les seqüències d'arrencada segures, és particularment desafiant discernir si hi ha un defecte o si un mecanisme de seguretat ha reaccionat a un error de disseny.L'aplicació innovadora de LLSM d'Amrutha ha demostrat que pot llegir eficaçment els estats estàtics en flip-flops d'un sol port, les cèl·lules de lògica combinatòria i els senyals de control crítics, oferint insights valuosos en dominis anteriorment inaccessibles. Tècniques d'anàlisi basades en làser La implementació per Amrutha de la tècnica LLSM implica un enfocament metodològic on s'introdueix una modulació de petita tensió en el subministrament d'alimentació corresponent, seguida de Laser Voltage Imaging (LVI) a la freqüència de modulació per determinar l'estat lògic dels senyals objectius. Aquesta metodologia proporciona una nova capacitat robusta per als enginyers d'anàlisi de fallades que tracten amb dispositius segurs, permetent investigar senyals i estats crítics que abans eren difícils d'observar. En combinació amb altres mètodes d'aïllament de fallades òptiques, com la microscòpia d'emissió de fotons (PEM) i la tradicional prova de vol làser (LVP), aquesta tècnica contribueix a un conjunt d'eines de diagnòstic més complet per a la indústria dels semiconductors. Navegar per l’equilibri entre seguretat i analitzabilitat Amb la seva recent presentació a ISTFA 2024, ha abordat els reptes únics associats amb l'anàlisi de la propietat intel·lectual segura utilitzant tècniques d'aïllament de defectes i l'avaluació de les amenaces de seguretat potencials plantejades per aquests mateixos mètodes. Les seves troballes defensen un enfocament col·laboratiu entre l'anàlisi de fallades i els equips de seguretat, destacant la importància d'avaluar tant els punts forts com els punts febles dels dissenys existents per aconseguir resultats mutuament beneficiosos i solucions equilibrades. Reconeixement i impacte més ampli El treball d'Amrutha amb LLSM ha portat a avenços significatius en l'anàlisi de fallades de semiconductors. Les seves perspectives s'han compartit en sessions de coneixement amb equips globals i es van documentar en un paper a l'ISTFA 2024, enfatitzant l'equilibri entre l'analitzabilitat i la seguretat en la tecnologia de semiconductors. Implicacions futures Aquest èxit representa un avanç clau en les metodologies d'anàlisi de fallades, proporcionant als enginyers capacitats millorades per a la precisió diagnòstica a mesura que els dissenys de semiconductors es tornen més complexos. L'experiència d'Amrutha combina la seva educació en Enginyeria Elèctrica de la Universitat de Texas A&M i l'Institut Nacional de Tecnologia, Trichy, permetent-li implementar de manera eficaç solucions tècniques innovadores. Mirant endavant, el seu treball amb LLSM exemplifica com els enfocaments creatius poden abordar els reptes tècnics en curs i afegir valor a la indústria de semiconductors. A mesura que les tecnologies evolucionen, les contribucions d'Amrutha poden servir de model per als avenços futurs en Més sobre Amrutha Sampath Amrutha Sampath és una figura notable en l'anàlisi de fallades de semiconductors, centrant-se en metodologies de diagnòstic per a circuits integrats. Residint en l'ecosistema tecnològic dinàmic d'Austin, utilitza eficaçment la seva formació avançada de la Texas A&M University i l'estimat National Institute of Technology, Trichy, per explorar noves fronteres en el diagnòstic de semiconductors. La seva carrera s'ha caracteritzat per avenços tècnics significatius que integren eficaçment la investigació teòrica amb aplicacions pràctiques, conduint al refinament dels protocols de prova de fiabilitat que ara s'utilitzen a diverses instal·lacions. Les contribucions d'Amrutha han estat reconegudes en fòrums tècnics internacion Aquesta història va ser distribuïda com un llançament per Echospire Media sota HackerNoon's Business Blogging Program. Aquesta història va ser distribuïda com un llançament per Echospire Media sota el Programa de Blogging de Negocis de HackerNoon. . Aquí Aquí
