የግራፊን ግኝት የኢቪ ባትሪዎችን ዕድሜ እንዲረዝም እና የበለጠ ኃይል እንዲይዙ ሊያደርግ ይችላል።

ደራሲያን፦ በኢን ሂዩክ ሶን ጆንግ ህዋን ፓርክ ሱንቾል ክዎን ሴኦንግዮንግ ፓርክ ማርክ ኤች. ሩሜሊ አሊሲያ ባክማቲቹክ ሂዩን ጃይ ሶንግ ጁንሃዋን ኩ ጃንግ ዎክ ቾይ ጃኢ-ማን ቾይ ሴኦክ-ጓንግ ዱ ሂዩክ ቻንግ ማጠቃለያ ሲሊኮን እንደ ቀጣዩ ትውልድ የሊቲየም-አዮን ባትሪ አኖዶች ንቁ ቁሳቁስ ሆኖ የማይወዳደር ክብደታዊ አቅም ስላለው ትኩረት እያገኘ ነው። ሆኖም፣ የሲሊኮን ትልቅ የድምጽ ለውጥ በመሙላት-ማፍሰስ ዑደቶች ወቅት የድምጽ ኃይል ጥግግት እና የዑደት ህይወት ውድድርን ያዳክማል። እዚህ ላይ የሲሊኮን ካርቦይድ መፈጠር ሳይኖር በሲሊኮን ናኖፓርቲክል ላይ ቀጥታ ግራፊን እድገትን ሪፖርት እናደርጋለን። በሲሊኮን ወለል ላይ የተጣበቁ የግራፊን ሽፋኖች በአጠገባቸው ባሉ የግራፊን ሽፋኖች መካከል ባለው የመንሸራተት ሂደት አማካኝነት የሲሊኮን የድምጽ መስፋፋትን ያመቻቻሉ። የንግድ ሊቲየም ኮባልት ኦክሳይድ ካቶድ ጋር ሲጣመር፣ የሲሊኮን ካርቦይድ-ነጻ ግራፊን ሽፋን ሙሉው ሴል በቅደም ተከተል 972 እና 700 Wh l−1 በሚደርስ የድምጽ ኃይል ጥግግት እንዲደርስ ያስችለዋል ። ይህም በአሁኑ የንግድ ሊቲየም-አዮን ባትሪዎች ከሚጠበቀው 1.8 እና 1.5 እጥፍ ከፍ ያለ ነው። ይህ ምልከታ የሚያመለክተው የግራፊን ባለ ሁለት-ልኬት ሽፋን መዋቅር እና ከሲሊኮን ጋር ያለው የሲሊኮን ካርቦይድ-ነጻ ውህደት የሲሊኮን አኖዶችን ለንግድ ተስማሚ ቴክሎጂ ለማራመድ እንደ ፕሮቶታይፕ ሆኖ ሊያገለግል እንደሚችል ነው። መግቢያ የሲሊኮን (Si) ቲዎሬቲካል ክብደታዊ አቅም ወደ 4,000 mAh g−1 ይደርሳል። ይህ የማይወዳደር ዋጋ የባትሪውን ማህበረሰብ ከፍተኛ የምርምር ጥረት እንዲያደርግ አነሳስቷል ምክንያቱም ከፍተኛ ክብደታዊ አቅም የሊቲየም-አዮን ባትሪዎችን (LIBs) የኃይል ጥግግት በከፍተኛ ሁኔታ እንዲጨምር ስለሚያስችል እና ስለዚህም ለወደፊቱ የ LIB አፕሊኬሽኖች እንደ ኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች እውን እንዲሆኑ ያደርጋል , , , , . ባለፉት አስርት ዓመታት ውስጥ፣ የተለያዩ የላቁ ኤሌክትሮድ መዋቅሮች , , , , , , , , , , እና ማሰሪያ ንድፎች , , የSi ትልቅ የድምጽ ለውጥ የሚያስከትሉ ሥር የሰደደ የቅናሽ ችግሮችን ለመፍታት ተዘጋጅተዋል፣ ይህም ከሺዎች የሚቆጠሩ ዑደቶች ቢሆንም እንኳ በተሻሻለ የዑደት አፈጻጸም እንዲገኝ አስችሏል . ምንም እንኳን ተስፋ ሰጪው ክብደታዊ እሴት እና በዑደት ህይወት ላይ የተደረገው ጉልህ መሻሻል ቢኖርም፣ እስካሁን ከተረጋገጡት የSi አኖዶች አብዛኛዎቹ የክብደት አቅምን ብቻ በማተኮር የድምጽ አቅማቸውን ተመሳሳይ ተስፋ አልሰጡም ምክንያቱም አሁን ያሉት የኤሌክትሮድ ንድፎች የSiን የድምጽ መስፋፋት ለማመቻቸት አስቀድሞ በተወሰነ ክፍተት ላይ ይተማመናሉ። ነገር ግን፣ እንደ ተንቀሳቃሽ ኤሌክትሮኒክስ ያሉ ብዙ የLIB አፕሊኬሽኖች የድምጽ ኃይል ጥግግት የባትሪ አፈጻጸምን ለመወሰን ወሳኝ መለኪያ ነው። ከታች ጋር በተያያዘ የዑደት ህይወት፣ ደካማ የድምጽ ኃይል ጥግግት በአሁኑ ጊዜ የSi አኖዶችን በንግድ ሴሎች ውስጥ ከመተግበሩ አንጻር ትልቁ እንቅፋት ነው። ይህን ወሳኝ ፍላጎት ለማሟላት፣ የSi አኖድ ቴክሎጂ የኤሌክትሮድ መጠኖችን በሚቀንስበት ጊዜ የተረጋጋ የዑደት አፈጻጸምን የሚያቀርቡ የተለያዩ የኤሌክትሮድ ንድፎችን በመጠቀም እንደገና መመርየት ይኖርበታል። 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 11 በርካታ የSi ቅርጾች እና ከሌሎች ተቆጣጣሪ ቁሶች ጋር ያላቸው ጥንብሮች ቢገኙም፣ ከፍተኛ ደረጃ የጥራት ቁጥጥር የሚያስፈልገው ለትክክለኛ ምርት ፈጣን መፍትሄ ለማግኘት፣ ንቁ የSi ክፍሎች ቀላል እና ተመጣጣኝ ውህደት ወሳኝ ነው። ከኃይል አተገባበር እይታ አንጻር፣ ከብዙ ቁጥር ተስማሚ እጩዎች መካከል፣ የንግድ Si ናኖፓርቲክል (NPs) በአንድ ቀላል እና ቀልጣፋ ተቆጣጣሪ ወለል መደረቢያ መጠቀም በጣም ተፈላጊ ነው። እንደ አሞርፊስ ካርቦን (AC) ያሉ የተለያዩ ተቆጣጣሪ ቁሶች ለSi NP አኖዶች እንደ መደረቢያ ቁሶች ተጠንተዋል , , . ሆኖም ግን፣ አብዛኛዎቹ የተተገበሩት የመደረቢያ ቁሶች የSiን የድምጽ መስፋፋት ማስተናገድ ባለመቻላቸው እና በውጤቱም በተደጋጋሚ ዑደቶች ላይ ስለሚሰነጠቁ የተረጋጋ የረጅም ጊዜ የዑደት አፈጻጸም ማቅረብ አይችሉም። 8 20 21 የቀድሞዎቹ ተቆጣጣሪ ሽፋኖች ያለውን ገደብ ለመፍታት እና ከፍተኛ የድምጽ ኃይል ጥግግት ያለው መልካም የዑደት አፈጻጸም ለማግኘት፣ በዚህ ጥናት ውስጥ፣ በSi ወለል ላይ በቐጥታ ያደገ ባለብዙ-ሽፋን ግራፊን እንደ መደረቢያ ቁሳቁስ እንጠቀማለን። የግራፊን ባለ ሁለት-ልኬት (2D) ሽፋን ባህሪ ለSi አኖዶች ልዩ እና ቀልጣፋ ተግባር ይሰጣል ምክንያቱም ባለብዙ-ሽፋን ግራፊን የSiን የድምጽ መስፋፋት በየተራፊ ሽፋኖች መካከል ባለው የመንሸራተት ሂደት ማመቻቸት ይችላል። እንዲሁም፣ ግራፊን-የተለጠፈው የSi NP ፔሌት በ1wt% የግራፊን ይዘት በኩል ከፍተኛ የተንሰራፋ አውታረ መረብ በመጠቀም 12.8 S cm−1 ላይ ይደርሳል። ለዚህም፣ በ mild oxidant የሚጠቀም የኬሚካል እንፋሎት ክምችት (CVD) ሂደት በማዳበር፣ የSi ካርቦይድ (SiC) መፈጠር ሳይኖር በSi ወለል ላይ ግራፊን የማደግን ፈተና እናሸንፋለን። SiC በSi አኖድ ተግባራት ላይ ገዳይ ነው ምክንያቱም SiC ኤሌክትሪካዊ መከላከያ ሲሆን ደካማ የአካል ጉዳት ባህሪያት አለው። ከዚህም በላይ፣ SiC ከ Li አየኖች ጋር ለመዋጋት ንቁ አይደለም እናም በውጤቱም ወደ Si ደረጃ የ Li አዮን መሰራጨትን ይከለክላል። በግራፊን ኢንተርላይየር የመንሸራተት ሂደት እና በተሻሻለ ተቆጣጣሪነት እገዛ፣ ግራፊን-የተለጠፈው የSi NPs የድምጽ አቅም 2,500 mAh cm−3 (ከንግድ ግራፋይት 550 mAh cm−3 ጋር በማነፃፀር) ይደርሳል፣ ይህም እስከዛሬ ለተዘገቡ የ LIB አኖዶች ሁሉ ከፍተኛው እሴት ሲሆን እንዲሁም ምርጥ የዑደት እና የፍጥነት አፈጻጸም ያሳያል። ውጤቶች በSi ላይ የSiC-ነጻ ግራፊን እድገት በCVD ሂደት በSi ላይ የከፍተኛ ጥራት ግራፊን ቀጥታ እድገት አስቸጋሪ ሆኖ ተገኝቷል ምክንያቱም የተለመደው የግራፊን ውህደት ሁኔታዎች የሚቀንሱ ከባቢ አየር ስለሚፈልጉ ይህም የSiን ተወላጅ ኦክሳይድ ንብርብ በSi ወለል ላይ ያጠፋል፣ ከዚያም የSi እና የተበላሹ የካርቦን ቅድመ-ተዋፅኦዎች መካከል ምላሽን ያነሳሳል SiCን ይፈጥራል . ከH2 ጋር የተቀላቀለውን ሚቴን (CH4) እንደ የካርቦን ቅድመ-ተዋፅኦ የመጠቀም የመጀመሪያው አቀራረባችን በSi NPs ላይ የግራፊን እድገትን ማግኘት አልቻለም ( )፣ ስለዚህም β-SiC ብቻ ይፈጥራል ( ). ይህን ገደብ ለማሸነፍ፣ ከCH4 (ማጣቀሻዎች , ) ጋር በCVD ሂደት ውስጥ አንድ mild oxidant የሆነ ካርቦን ዳይኦክሳይድ (CO2) አካተናል። የCO2 መካተት SiC እንዳይፈጠር ያስችላል እንዲሁም ከታወቀው የግራፊን እድገት ጋር ሲነጻጸር የእድገት ሙቀትን ሊቀንስ ይችላል . በሙከራችን፣ በ900°C፣ የግራፊን እድገት አልተሟላም ወይም ያልተመጣጠነ ነበር ( )፣ በ1,100°C ላይ የግራፊን እድገት ለLi አዮን ስርጭት በጣም ወፍራም የሆኑ የኦክሳይድ ሽፋኖችን በSi ወለል ላይ ፈጠረ ( ). በመካከለኛ ሙቀት 1,000°C ላይ፣ ከ2–10 የግራፊን ሽፋኖች ተፈጥረዋል፣ ይህም እንደ ማስተላለፊያ ኤሌክትሮን ማይክሮስኮፕ (TEM) ምስሎች ይታያል ( ) የንብርብር መዋቅርን እንዲሁም ወደ 3.4 Å የሚደርስ የንብርብር ርቀት በግልፅ ያሳያል ( , ውስጥ). ይበልጥ ትኩረት መመርመር ግለሰባዊ ሽፋኖች በጫፋቸው (በ ላይ ቀይ ቀስቶች) በቀጥታ ወደ Si ቅንጣቢ ወለል ተጣብቀው ከSi ወለል ጋር ትይዩ መሆናቸውን ያሳያል። እነዚህ በደንብ የተስተካከሉ የግራፊን ሽፋኖች የSiን የድምጽ መስፋፋት ለማመቻቸት የሚያስችል የመንሸራተት ሂደት በዑደት ወቅት የንብርብር የመደርደር መዋቅራቸውን ሊጠብቁ ይችላሉ ( ). በCH4 እና H2 (ማጣቀሻዎች , ) በመጠቀም በSi ዳይኦክሳይድ (SiO2) ወለሎች ላይ የግራፊን እድገት ተሞክሯል። ሆኖም ግን፣ በእነዚያ ሂደቶች ውስጥ የግራፊን እድገት በጣም ውጤታማ አልነበረም ወይም SiC መፈጠርን አልተቀበለም። የውጤታማነት እጦት በSiO2 ወለል ላይ በቂ የካታሊቲክ ቦታዎች እጥረት ምክንያት ነው ተብሎ ይታሰባል። በተቃራኒው፣ በእኛ ሂደት፣ የCO2 መጨመር በ SiO መልክ ከकुछ ጉድለቶች ጋር ተጨማሪ የካታሊቲክ ቦታዎችን ይፈጥራል። 22 23 ተጨማሪ ምስል 1 ተጨማሪ ምስል 2 24 25 23 ተጨማሪ ምስል 3 ተጨማሪ ምስል 4 ስእል 1a,b ስእል 1b ስእል 1c ስእል 1d 26 27 x ( ) የGr–Si NP ዝቅተኛ-ማጉላት TEM ምስል። ( ) ከ ላይ ካለው ነጭ ሳጥን የተወሰደ ተመሳሳይ Gr–Si NP ከፍተኛ-ማጉላት TEM ምስል። (ውስጥ ገብተዋል) ከሁለት ቀይ ሳጥኖች የተወሰዱ የመስመር መገለጫዎች የግራፊን ሽፋኖች መካከል ያለው የንብርብር ርቀት ~3.4 Å መሆኑን ያሳያሉ፣ ይህም ከቫን ደር ዋልስ መስተጋብር ላይ ተመስርተው ከሚገኙት የተለመደ የግራፊን ሽፋኖች ጋር በጥሩ ሁኔታ ይስማማል። ( ) ግለሰባዊ የግራፊን ሽፋኖች የሚያድጉባቸውን ምንጮች (ቀይ ቀስቶች) የሚያሳይ ከፍተኛ-ማጉላት TEM ምስል። ( ) የSiን የድምጽ መስፋፋት የሚቀንስ የግራፊን መደረቢያ ሽፋኖች የመንሸራተት ሂደትን የሚያሳይ የፅንሰ-ሀሳብ ማሳያ። ሀ ለ ሀ ሐ መ የSiC-ነጻ ግራፊን እድገት በከፍተኛ ደረጃ እና በነጠላ-ቅንጣት ደረጃ ትንታኔዎች ተረጋግጧል። በSi 2 ባንድ ( ) እንዲሁም የX-ray diffraction (XRD) ስፔክተሮች ( ) ለግራፊን-የተለጠፈ Si (Gr–Si)፣ AC-የተለጠፈ Si (AC–Si) እና ንጹህ Si ምንም የ SiC ጫፎች አላሳዩም፣ ከ CO2-ነጻ በCH4 እና H2 በመጠቀም ከተሰራው ቁጥጥር (SiC–Si) ናሙና በተቃራኒ። በሌላ በኩል፣ ከፍተኛ-ማዕዘን ጨለማ መስክን በመጠቀም የተቃኘው የTEM ምስል የSi NP ኮር-ሼል መዋቅር እንዳለው የሚያሳይ ሲሆን ይህም ደማቅ ኮር እና ቀጭን በአንጻራዊ ሁኔታ ጨለማ የሆነ ሼል የSi ኮር እና ኦክሳይድ ሽፋን ተብሎ ሊተረጎም ይችላል ( ). ከNP በላይ ባሉ በርካታ ቦታዎች ላይ የተገኘው የኤሌክትሮን ጉልበት ማጣት (EELS) ስፔክተሮች ( ) የ SiC መፈጠርን የሚያንፀባርቁ ምንም ምልክቶች አላሳዩም ፣ ይህም አሁን ባለው የእድገት ሂደት ውስጥ የSiC-ነጻ እድገትን ያረጋግጣል። እንዲሁም፣ በ108 eV ላይ የSiO2 ምልክቶች በቦታዎች 1 እና 2 ላይ ከሌሎች ማዕከላዊ ቦታዎች ይልቅ በጠንካራ ሁኔታ ተገኝተዋል፣ ይህም የSiO2 ወለል ለግራፊን እድገት እንደ ካታሊቲክ ቦታዎች ያገለግላል ማለት ነው። የSiO2 ወለል ሽፋኖች የማያቋርጥ መገኘት በXRD ( ) እና EELS ( ) ባህሪይነትም ተረጋግጧል። p ስእል 2a ተጨማሪ ምስል 2 ስእል 2b ስእል 2c 28 ተጨማሪ ምስል 2 ስእል 2b,c ( ) ለ Gr–Si, SiC–Si, AC–Si እና ንጹህ Si የSi 2 ባንድ X-ray photoelectron spectroscopy ስፔክተሮች። ( ) የ Gr–Si NP የተቃኘ TEM ምስል። ( ) በ ላይ በተጠቀሱት ነጥቦች ላይ የ EELS ስፔክተሮች። ሀ p ለ ሐ ለ በቦታው ላይ የTEM ትንተና አሁን Gr–Si ን እንደ LIBs አኖድ ቁሳቁስ መጠቀምን እንመለከታለን። የGr–Si NPs (1 wt% ግራፊን) የሊቲየም ውህደት በ TEM ትንተና , , , ወቅት በድምጽ መስፋፋት ወቅት በእውነተኛ ጊዜ ክትትል ተደርጓል። በተጨባጭ ሙከራ፣ አንዳንድ Gr–Si ቅንጣቶች በወርቅ (Au) በተስተካከለ ኤሌክትሮድ ላይ ተቀምጠዋል። ሁለተኛ፣ ነገር ግን ሊንቀሳቀስ የሚችል፣ የ Li/LiO2 ጫፍ ያለው ኤሌክትሮድ Gr–Si NPsን ለማግኘት እንዲገናኙ ተደርጓል ( ). ከሁለተኛው ኤሌክትሮድ ጋር ግንኙነት ከተደረገ በኋላ፣ ቅንጣቶች መስፋፋት ጀመሩ ( ). በዚህ ሂደት ላይ ተጨማሪ ዝርዝሮች በ እና ውስጥ ይታያሉ። ሁለት ዓይነት የመስፋፋት መዋቅሮች ታይተዋል፣ ማለትም ጉድለት የሌለባቸው ቅንጣቶች እና ጉድለት ያላቸው ቅንጣቶች በ ላይ ጎልተው ይታያሉ። ግራፊኑ ቅንጣቱን ሙሉ በሙሉ ሲከብ እና ምንም ግልጽ ጉድለቶች በሌሉባቸው ሁኔታዎች ( )፣ ዲያሜትሩ በ~30% (220% የድምጽ መስፋፋት) ጨምሯል። በሊቲየም ውህደት መጨረሻ ላይ፣ የግራፊን ሽፋኖች የንብርብር ርቀት ወደ 3.8 Å ጨምሯል ይህም የ Li intercalation ን ያሳያል፣ እና የግራፊቲክ ሽፋን የመደርደር ባህሪ በNP ዙሪያ ሁሉ ተጠብቆ ነበር ( )፣ ይህም በ ላይ እንደተገለጸው የመንሸራተት ሂደትን ያሳያል። ጉድለት ያለበት ክልል ባለባቸው ሁኔታዎች ( ላይ አረንጓዴ ክብ ይመልከቱ)፣ በሚሰፋበት ጊዜ፣ የውስጠኛው ቅንጣት ይሰነጠቃል እና በጉድለቱ በኩል ይፈነዳል ( ). የታዩት የተለያዩ የመሰነጣጠቅ ባህሪያት ከቅንጣት መጠን የመነጩ የመሆን ዕድላቸው አነስተኛ ነው፣ ምክንያቱም በ ላይ ካለው የተሰነጠቀው አንድ ትልቅ የተከበበ ቅንጣት አልተሰነጠቀንም (በ ላይ በ0 እና 40 ሰከንድ ላይ የተጠቀሱትን ቅንጣቶች ይመልከቱ)። በተጨማሪም፣ የቅርብ ጊዜ ምልከታ እንደሚያመለክተው፣ ካልተከበበም ቢሆን፣ ትንሽ የSi ቅንጣቶች ( ) ሊደርስ ይችላል (ማጣቀሻ ). in situ 29 30 31 32 ስእል 3a ስእል 3b ተጨማሪ ምስል 5 ተጨማሪ ፊልሞች 1–3 ስእል 3b,c ስእል 3d 33 ስእል 3d ስእል 3c ስእል 3a ስእል 3e ስእል 3 ተጨማሪ ምስል 5 34 35 ( ) የGr–Si NPs ከAu ሽቦ ኤሌክትሮድ ወለል ጋር ተጣብቀው እና ሁለተኛ Li/LiO2 ኤሌክትሮድ። ( ) ከሊቲየም በኋላ ተመሳሳይ Gr–Si NPs። ( ) ለሁለቱም ጉድለት የሌለባቸው እና ጉድለት ያለባቸው የግራፊን ሽፋን ያላቸው የሊቲየም የገባ Gr–Si NPs የፅንሰ-ሀሳብ ማጠቃለያ። ( , ) ለ( ) ጉድለት የሌለበት ቅንጣት (በ እና ላይ በቀይ መስመር የተከበበ) እና ( ) ጉድለት ያለበት ቅንጣት (በ እና ላይ በሰማያዊ መስመር የተከበበ) የቅርብ TEM ምስል። በሁለቱም ሁኔታዎች የ EELS ስፔክተሮች የ Si ሊቲየም መኖሩን ያረጋግጣሉ፣ በ55 eV አካባቢ ደብዛዛ Li -edge እንዲሁም በ100 eV ላይ የ Si -edge ( ; ማጣቀሻ ). በ ላይ በግራፊን ወለል ላይ የሚታየው ንብርብር ለ Li/Li2O ቅሪት ይባላል። በመሰረቱ፣ የግራፊን ሽፋኖች ከSi ወለል ጋር ባላቸው ኬሚካዊ ትስስር ሥሮች በኩል ከSi ጋር ያለውን ውህደት ይጠብቃሉ፣ እና በተመሳሳይ ጊዜ፣ የመንሸራተት ሂደቱ የጥቂት ሽፋኖች ግራፊን ሽፋን የSiን የድምጽ መስፋፋት እንዲያስተናግድ ያስችላል። በተለየ የ TEM ሙከራ ከGr–Si LIB ኤሌክትሮድ ጋር፣ አማካይ የግራፊን ሽፋኖች ብዛት በተለያዩ ቦታዎች ላይ ከ9.4 ወደ 5.6 ሽፋኖች ( ) ከቀነሰ በኋላ እንደተስተዋለ፣ ይህም የመንሸራተት ሂደቱን እንደገና ያረጋግጣል። ሀ ለ ሐ መ ሠ መ ሀ ለ ሠ ሀ ለ K L ስእል 3d,e 36 ስእል 3d ex situ ተጨማሪ ምስል 6 የግራፊን ሽፋን እና የመንሸራተት ሂደት የSi ቅንጣትን ትክክለኛነት በድምጽ መስፋፋት ወቅት የሚጠብቅ የመቆንጠጥ ኃይል ይፈጥራል። ሆኖም ግን፣ ይህ የመቆንጠጥ ዘዴ ለ Li ስርጭት አይመስልም፣ ምክንያቱም በኤሌክትሮኬሚካዊ መለኪያዎች ጥሩ ልዩ አቅሞች ስለሚገኙ ነው። የቅንጣቶች የድምጽ መስፋፋት፣ በአጠቃላይ፣ ከLi ኤሌክትሮድ ጋር ያለው ግንኙነት በጣም የተወሰነ ቢሆንም እንኳ በሁሉም ራዲያል አቅጣጫዎች ወጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥጥ