Chikho Chotsatira, Moyo Wautali: Graphene Trick Yatsopano Mabaterie a Lithium

```html ຜູ້ຂຽນ: In Hyuk Son Jong Hwan Park Seongyong Park Kwangjin Park Sangil Han Jaeho Shin Seok-Gwang Doo Yunil Hwang Hyuk Chang Jang Wook Choi ບົດຄັດຫຍໍ ການປັບປຸງຄຸນນະພາບໜຶ່ງໂດຍບໍ່ເສຍຄຸນນະພາບອື່ນໆເປັນສິ່ງທ້າທາຍສຳລັບແບັດເຕີຣີລິທຽມໄອອອນເນື່ອງຈາກລັກສະນະການແລກປ່ຽນໃນບັນດາພາລາມິເຕີຫຼັກ. ຢູ່ທີ່ນີ້, ພວກເຮົາລາຍງານກ່ຽວກັບຂະບວນການເຄືອບທາງເຄມີເພື່ອປູກການລວມຕົວຂອງກາຟີນ–ຊິລີ້, ເຊິ່ງເອີ້ນວ່າບານກາຟີນ. ໂຄງສ້າງສາມມິຕິຂອງມັນກັບສູນກາງຂອງອະນຸພາກອົກຊິດຂອງຊິລິຄອນ ໄດ້ອະນຸຍາດໃຫ້ມີການເຄືອບບານກາຟີນ 1 wt% ທີ່ເປັນເອກະພາບກັນໃນເຍື່ອຫຸ້ມໄຟຟ້າແຄໂທດທີ່ອຸດົມສົມບູນດ້ວຍນິກເກີນໂດຍໃຊ້ການສ້ອມແປງ Nobilta ທີ່ສາມາດຂະຫຍາຍໄດ້. ການເຄືອບບານກາຟີນໄດ້ປັບປຸງຊີວິດຂອງວົງຈອນແລະຄວາມສາມາດໃນການສາກໄຟຢ່າງໄວໂດຍການສະກັດກັ້ນປະຕິກິລິຍາຂ້າງຄຽງທີ່ເປັນອັນຕະລາຍແລະໃຫ້ເສັ້ນທາງການນໍາໄຟຟ້າທີ່ມີປະສິດທິພາບ. ຕົວມັນເອງຂອງບານກາຟີນກໍ່ເຮັດໜ້າທີ່ເປັນວັດສະດຸແອນໂອດດ້ວຍຄວາມສາມາດສະເພາະສູງ 716.2 mAh g−1. ແບັດເຕີຣີເຕັມທີ່ລວມມີບານກາຟີນໄດ້ເພີ່ມຄວາມໜາແໜ້ນຂອງພະລັງງານປະລິມານຂຶ້ນ 27.6% ເມື່ອທຽບກັບແບັດເຕີຣີຄວບຄຸມທີ່ບໍ່ມີບານກາຟີນ, ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມເປັນໄປໄດ້ໃນການບັນລຸ 800 Wh L−1 ໃນການຕັ້ງຄ່າແບັດເຕີຣີການຄ້າ, ພ້ອມດ້ວຍຄວາມສາມາດໃນການໝູນວຽນສູງ 78.6% ຂອງຄວາມສາມາດທີ່ເກັບຮັກສາຫຼັງຈາກ 500 ວົງຈອນທີ່ 5C ແລະ 60 °C. ບົດນຳ ການພັດທະນາແບັດເຕີຣີລິທຽມໄອອອນ (LIBs) ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງໄດ້ນຳໄປສູ່ການປັບປຸງທີ່ໂດດເດັ່ນໃນດ້ານການເຮັດວຽກຕ່າງໆ, ລວມທັງຄວາມໜາແໜ້ນຂອງພະລັງງານ, ຄວາມໜາແໜ້ນຂອງພະລັງ, ຊີວິດຂອງວົງຈອນ, ແລະຄວາມປອດໄພ. ປັດຈຸບັນ, ອຸປະກອນ IT ແບບເຄື່ອນທີ່ຖືເປັນສ່ວນສຳຄັນຂອງການນຳໃຊ້ LIBs, ໂດຍສະເພາະການເຮັດວຽກຂອງ LIBs ທີ່ທັນສະໄໝສ່ວນໃຫຍ່ເປັນທີ່ໜ້າພໍໃຈ , , . ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ເມື່ອລົດໄຟຟ້າ (EVs) ໄດ້ເຈາະຕະຫຼາດ LIBs, ຄຸນສົມບັດທາງເຄມີໄຟຟ້າຫຼັກໄດ້ກຳນົດມາດຕະຖານທີ່ທ້າທາຍຍິ່ງຂຶ້ນ; ໃນຂະນະທີ່ຄວາມໜາແໜ້ນຂອງພະລັງງານສູງຂຶ້ນແມ່ນເປັນທີ່ຕ້ອງການສຳລັບໄລຍະທາງການຂັບຂີ່ທີ່ຍາວນານ, ຈັງຫວະການປະຕິບັດການທີ່ປັບປຸງແລ້ວແມ່ນຖືກຮຽກຮ້ອງສຳລັບການສາກໄຟຢ່າງໄວແລະການເຮັດວຽກດ້ວຍອັດຕາສູງ. ຄວາມປອດໄພກໍ່ເປັນປັດໄຈສຳຄັນສຳລັບການນຳໃຊ້ EV. ຄວາມທ້າທາຍທີ່ໜັກໜ່ວງແມ່ນການເອົາຊະນະຄວາມສຳພັນການແລກປ່ຽນໃນບັນດາຄຸນສົມບັດຫຼັກເຫຼົ່ານີ້; ມັນເປັນເລື່ອງຍາກທີ່ຈະປັບປຸງຄຸນສົມບັດໜຶ່ງໂດຍບໍ່ເສຍຄຸນສົມບັດອື່ນໆ. 1 2 3 ຄວາມສຳພັນການແລກປ່ຽນດັ່ງກ່າວແມ່ນເຫັນໄດ້ຊັດເຈນໂດຍສະເພາະລະຫວ່າງຄວາມໜາແໜ້ນຂອງພະລັງງານແລະການສາກໄຟໄວ (ຫຼືຄວາມສາມາດຂອງພະລັງງານ). ໃນຂະນະທີ່ການໃຊ້ວັດສະດຸນາໂນເປັນອົງປະກອບທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວ , ແລະການລວມເອົາວັດສະດຸນາໂນກາร์ບອນ , , ເປັນຕົວແທນການນຳໄຟຟ້າໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນອັດຕາການສາກໄຟທີ່ດີຂຶ້ນໂດຍການຫຼຸດຜ່ອນໄລຍະທາງການແຜ່ຂອງໄອອອນແລະຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນ, ແຕ່ວິທີການສ່ວນໃຫຍ່ເຫຼົ່ານີ້ຍັງຕ້ອງການການປັບປຸງຕື່ມອີກກ່ອນທີ່ຈະສາມາດນຳມາໃຊ້ໃນເທັກໂນໂລຍີ LIB ໃນປະຈຸບັນໄດ້. ຄວາມໜາແໜ້ນຂອງການກົດຂອງວັດສະດຸນາໂນມີຄ່າຕໍ່າກວ່າຂອງອະນຸພາກຈຸລະພາກແບບດັ້ງເດີມ, ເຊິ່ງເປັນອັນຕະລາຍຕໍ່ຄວາມໜາແໜ້ນຂອງພະລັງງານປະລິມານ, ເຊິ່ງເປັນປັດໄຈສຳຄັນສຳລັບການນຳໃຊ້ LIB ຫຼາຍຄັ້ງກວ່າສ່ວນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບແຮງໂນ້ມຖ່ວງ. ໃນສະພາບທີ່ຄ້າຍຄືກັນສູ່ການຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນ, ການລວມເອົາວັດສະດຸນາໂນກາร์ບອນເຊັ່ນກາຟີນໄດ້ພິສູດໃຫ້ເຫັນປະສິດທິພາບໃນການເພີ່ມການນຳໄຟຟ້າຂອງເຍື່ອຫຸ້ມໄຟຟ້າໃນຫ້ອງທົດລອງ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ການບັນລຸການແຈກຢາຍທີ່ເປັນເອກະພາບຂອງເນື້ອໃນນໍ້າໜັກໜ້ອຍ (ເຊັ່ນ <3 wt%) ຂອງວັດສະດຸນາໂນກາร์ບອນໃນຂະບວນການປະສົມໃນຂະໜາດໃຫຍ່ຍັງບໍ່ໄດ້ຮັບການສາທິດ. ການດັດແກ້ວັດສະດຸທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວທີ່ມີຢູ່ໂດຍການເພີ່ມອົງປະກອບຕ່າງປະເທດ , ຫຼືການຄວບຄຸມສູດສານເຄມີ , , ກໍ່ສາມາດເພີ່ມຄວາມໄວໃນການແຜ່ຂອງໄອອອນ Li ແລະດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງເພີ່ມອັດຕາການສາກໄຟຂອງວັດສະດຸທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວແບບດັ້ງເດີມດ້ວຍມິຕິຄຸນແຜ່ໄດ້. ແຕ່ວິທີການສ່ວນໃຫຍ່ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນມີປະສິດທິພາບໃນການແລກປ່ຽນກັບຄວາມສາມາດສະເພາະ. 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ນອກຈາກນີ້, ນອກຈາກຄວາມໜາແໜ້ນຂອງພະລັງງານແລະການສາກໄຟໄວແລ້ວ, ການບັນລຸຊີວິດການໝູນວຽນທີ່ຍາວນານ, ໂດຍສະເພາະໃນອຸນຫະພູມສູງ (ເຊັ່ນ 60 °C), ຍັງຄົງເປັນສິ່ງທ້າທາຍສຳລັບ LIBs ທີ່ກ້າວໜ້າທີ່ລວມເອົາວັດສະດຸເຍື່ອຫຸ້ມໄຟຟ້າທີ່ມີຄວາມສາມາດສູງ. ໃນຂະນະທີ່ອົກຊິດຊັ້ນທີ່ອຸດົມສົມບູນດ້ວຍນິກເກີນ (Ni) ແລະ Li ຖືກຖືວ່າເປັນວັດສະດຸເຍື່ອຫຸ້ມໄຟຟ້າທີ່ຈະມາເຖິງເນື່ອງຈາກຄວາມສາມາດສະເພາະທີ່ດີກວ່າຂອງມັນເມື່ອທຽບກັບຄູ່ກັບ LiCoO2, ເປັນທີ່ຮູ້ກັນດີວ່າການປະສົມຄາດຕະລິດທີ່ຫຼີກລ້ຽງບໍ່ໄດ້ໃນລະຫວ່າງການສາກໄຟໄດ້ເຮັດໃຫ້ໂຄງສ້າງຊັ້ນເສື່ອມເສຍໄປເປັນໂຄງສ້າງສະປິນເນລຫຼືຊັ້ນເກືອ, ພ້ອມກັບປະຕິກິລິຍາຂ້າງຄຽງທີ່ບໍ່ເປັນທີ່ຕ້ອງການຢູ່ເທິງໜ້າເຍື່ອຫຸ້ມໄຟຟ້າ. ເມື່ອພິຈາລະນາເຖິງຄວາມພະຍາຍາມທີ່ໄດ້ດຳເນີນມາຈົນເຖິງປັດຈຸບັນ, ໜຶ່ງໃນວິທີແກ້ໄຂທີ່ເປັນຈິງທີ່ສຸດສຳລັບການບັນລຸການສາກໄຟຢ່າງໄວຂອງວັດສະດຸເຍື່ອຫຸ້ມໄຟຟ້າດ້ວຍການສູນເສຍທີ່ບໍ່ມີນัยສຳຄັນໃນຄວາມໜາແໜ້ນຂອງພະລັງງານແລະຊີວິດຂອງວົງຈອນແມ່ນການຄົ້ນຫາວັດສະດຸປ້ອງກັນທີ່ສາມາດນຳມາເຄືອບໄດ້ຢ່າງເປັນເອກະພາບໃນວັດສະດຸທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວດ້ວຍເນື້ອໃນໜ້ອຍທີ່ສຸດ. ການຄົ້ນຫາວັດສະດຸແອນໂອດທີ່ກ້າວໜ້າກໍ່ເປັນສິ່ງຈຳເປັນເຊັ່ນກັນເພາະວ່າແອນໂອດກາຟິດໃນປະຈຸບັນປະສົບກັບການຝາກລິທຽມເມື່ອສາກໄຟດ້ວຍອັດຕາສູງ. ຢູ່ທີ່ນີ້, ພວກເຮົາລາຍງານກ່ຽວກັບການລວມຕົວຂອງກາຟີນ–ຊິລີ້ (SiO ) , ເອີ້ນວ່າບານກາຟີນ (GB), ເປັນວັດສະດຸເຄືອບສຳລັບວັດສະດຸເຍື່ອຫຸ້ມໄຟຟ້າທີ່ອຸດົມສົມບູນດ້ວຍນິກເກີນທີ່ມີຄວາມສາມາດສູງພ້ອມທັງເປັນວັດສະດຸແອນໂອດຂອງ LIB. ແຕ່ລະ GB ປະກອບດ້ວຍສູນກາງຂອງອະນຸພາກນາໂນ SiO ແລະຊັ້ນກາຟີນທີ່ຢູ່ອ້ອມຂ້າງ, ສ້າງເປັນໂຄງສ້າງປັອບຄອນສາມມິຕິ (3D). ອະນຸພາກນາໂນ SiO ມີບົດບາດສຳຄັນໃນຫຼາຍດ້ານ, ເຊັ່ນການປ້ອງກັນການສ້າງຊັ້ນຊິລິຄອນຄາໄບ (SiC) ຢູ່ທີ່ຊ່ອງຫວ່າງ SiO –graphene ໃນລະຫວ່າງການເຕີບໂຕຂອງກາຟີນ, ຮັບປະກັນການເຄືອບ GB ທີ່ເປັນເອກະພາບໃນວັດສະດຸເຍື່ອຫຸ້ມໄຟຟ້າ, ແລະໃຫ້ຄວາມສາມາດສະເພາະສູງເມື່ອ GB ຖືກໃຊ້ເປັນວັດສະດຸແອນໂອດ. ການເຄືອບ GB ທີ່ເປັນເອກະພາບໃນເຍື່ອຫຸ້ມໄຟຟ້າຊັ້ນທີ່ອຸດົມສົມບູນດ້ວຍນິກເກີນໄດ້ປັບປຸງຄວາມໝັ້ນຄົງຂອງຊ່ອງຫວ່າງກັບອີເລັກໂຕລໄດແລະການນຳໄຟຟ້າໃນທົ່ວເຍື່ອຫຸ້ມໄຟຟ້າ, ປັບປຸງຄວາມສາມາດໃນການໝູນວຽນແລະການສາກໄຟໄວຂອງເຍື່ອຫຸ້ມໄຟຟ້າຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ໂດຍການໃຊ້ປະໂຫຍດຈາກຂໍ້ດີທີ່ເປັນເອກະພາບຂອງ GB, ແບັດເຕີຣີເຕັມທີ່ປະກອບດ້ວຍເຍື່ອຫຸ້ມໄຟຟ້າທີ່ເຄືອບດ້ວຍ GB ແລະແອນໂອດ GB ໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງຄວາມໜາແໜ້ນຂອງພະລັງງານປະລິມານໃກ້ຄຽງ 800 Wh L−1 ໃນສະພາບແວດລ້ອມຂອງແບັດເຕີຣີການຄ້າ, ຮ່ວມກັບການຮັກສາຄວາມສາມາດສູງ 78.6% ຫຼັງຈາກ 500 ວົງຈອນທີ່ 5C ແລະ 60 °C. x x x x ຜົນໄດ້ຮັບ ການສັງເຄາະບານກາຟີນ ເພື່ອສັງເຄາະ GB ທີ່ຄ້າຍຄືກັບປັອບຄອນ, ພວກເຮົາໄດ້ພັດທະນາຂະບວນການເຄືອບທາງເຄມີເພື່ອການເຕີບໂຕຂອງກາຟີນ. ອາຍແກັສ CH4 ໄດ້ຖືກປ້ອນເຂົ້າເຕົາອົບໃນການມີຢູ່ຂອງອະນຸພາກນາໂນ SiO2 ໂດຍມີເສັ້ນຜ່າສູນກາງ 20–30 nm ທີ່ 1000 °C. ທີ່ອຸນຫະພູມນີ້, CH4 ໄດ້ຖືກແຍກອອກເພື່ອສ້າງໄຮໂດເຈນອາໂຕມ, ເຊິ່ງສາມາດຫຼຸດຜ່ອນ SiO2 ເປັນ SiO ( < 2) ໄດ້ຕາມມາ. OH− ກໍ່ໄດ້ຮັບການຜະລິດພ້ອມກັນຜ່ານປະຕິກິລິຍາດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້: x x ຄຸນນະສົມບັດຫຼັກໃນປະຕິກິລິຍານີ້ແມ່ນວ່າ SiO ທີ່ຜະລິດໄດ້ໃຫ້ສະຖານທີ່ກະຕຸ້ນສຳລັບການເຕີບໂຕຂອງກາຟີນ, ແລະ OH− ເຮັດໜ້າທີ່ເປັນຕົວອອກຊິດໄຟອ່ອນເພື່ອອຳນວຍຄວາມສະດວກໃຫ້ແກ່ການກໍ່ຮູບກາร์ບອນກາຟີນິກໄປສູ່ກາຟີນ , . ບົດບາດຂອງຕົວອອກຊິດໄຟອ່ອນໃນການກໍ່ຮູບກາร์ບອນກາຟີນິກໄດ້ຮັບການອະທິບາຍຢ່າງເປັນລະບົບໃນບໍ່ດົນມານີ້ ໃນລັກສະນະທີ່ວ່າ, ໂດຍບໍ່ມີຕົວອອກຊິດໄຟອ່ອນ, ການກໍ່ຮູບກາร์ບອນອະມໍຟັສມີຄວາມໂດດເດັ່ນກວ່າ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ໃນການມີຢູ່ຂອງຕົວອອກຊິດໄຟອ່ອນ, ໄດ້ຄົ້ນພົບວ່າປະຕິກິລິຍາໄປສູ່ການກໍ່ຮູບ CO ຫຼື CO2 ແມ່ນເປັນທີ່ມັກສຳລັບອາໂຕມຄາร์ບອນທີ່ຈະກາຍເປັນກາร์ບອນອະມໍຟັສ. ຕາມຄວາມເປັນຈິງ, ການເຕີບໂຕຂອງກາຟີນຢ່າງງ່າຍດາຍໂດຍໃຊ້ຕົວກະຕຸ້ນໂລຫະເປັນທີ່ຮູ້ຈັກກັນດີວ່າເກີດຂຶ້ນໃນລັກສະນະທີ່ຄ້າຍຄືກັນ , , , ບ່ອນທີ່ອົກຊິດທີ່ຍັງຄົງຢູ່ເທິງໜ້າໂລຫະເຮັດໃຫ້ເກີດປະຕິກິລິຍາທີ່ເປັນທີ່ມັກສູ່ການກໍ່ຮູບກາร์ບອນກາຟີນິກ. ການມີຢູ່ຂອງຕົວອອກຊິດໄຟອ່ອນໄດ້ປ້ອງກັນການກໍ່ຮູບຊັ້ນຊິລິຄອນຄາໄບ (SiC) ຢູ່ເທິງໜ້າຂອງ SiO ເນື່ອງຈາກຕົວອອກຊິດໄຟໄດ້ປ້ອງກັນການຫຼຸດຜ່ອນ Si ໄປສູ່ການກໍ່ຮູບ SiC . x 14 15 16 17 18 19 x 19 ໃນໂຄງຮ່າງປະຕິກິລິຍາຂອງພວກເຮົາໂດຍອີງໃສ່ການໃຊ້ CH4 ຢ່າງດຽວ, ຢູ່ທີ່ອຸນຫະພູມຕ່ຳກວ່າ 900 °C, ກາຟີນແທບຈະບໍ່ເຕີບໂຕ. ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ, ທີ່ 1050 °C ແລະສູງກວ່າ, ການເຕີບໂຕຂອງກາຟີນໄດ້ກາຍເປັນຮຸກຮານເກີນໄປສູ່ການກໍ່ຮູບກາຟີໄ (ຮູບປະກອບເສີມ ). ເປັນທີ່ໜ້າສັງເກດ, ອຸນຫະພູມການເຕີບໂຕ 1000 °C ແມ່ນຕ່ຳກວ່າອຸນຫະພູມ (1100–1400 °C) ທີ່ໃຊ້ເປັນປົກກະຕິສຳລັບການເຕີບໂຕຂອງກາຟີນໂດຍອີງໃສ່ CVD ໂດຍໃຊ້ແຜ່ນຮອງ Si ແລະ SiO2 ທີ່ບໍ່ມີຕົວກະຕຸ້ນໂລຫະ , , . ບົດບາດສຳຄັນຂອງສະພາບແວດລ້ອມການເຕີບໂຕໄດ້ຮັບການຊີ້ແຈງໂດຍການທົດລອງຄວບຄຸມ (ຮູບປະກອບເສີມ ); ຫລັງຈາກຂັ້ນຕອນການຜະລິດ CVD ແບບດັ້ງເດີມໂດຍໃຊ້ຕົວກະຕຸ້ນໂລຫະ, CH4 ແລະ H2 ໄດ້ຖືກປ້ອນດ້ວຍອັດຕາການໄຫຼປະລິມານ 3:7 ທີ່ 1000 °C. ເນື່ອງຈາກການແຍກ CH4 ຖືກຂັດຂວາງໂດຍປະລິມານ H2 ທີ່ຫຼາຍ, ການເຕີບໂຕຂອງກາຟີນຈຶ່ງຊ້າຫຼາຍ, ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມສຳຄັນຂອງການໃຊ້ CH4 ຢ່າງດຽວໃນການເຕີບໂຕຂອງກາຟີນທີ່ມີປະສິດທິພາບໃນໂປໂຕຄໍການສັງເຄາະຂອງພວກເຮົາ. ໂດຍລວມແລ້ວ, ການເລືອກສານຕ່າງໆແລະອຸນຫະພູມປະຕິກິລິຍາໃນໂຄງຮ່າງປະຕິກິລິຍານີ້ແມ່ນແຕກຕ່າງຈາກຄູ່ກັບການໃຊ້ຕົວກະຕຸ້ນໂລຫະທີ່ໃຊ້ໃນການປຸງແຕ່ງ CVD ກ່ອນໜ້ານີ້ແລະມີບົດບາດສຳຄັນໃນການຜະລິດການລວມຕົວຂອງກາຟີນ–SiO ດ້ວຍໂຄງສ້າງສາມມິຕິຊັ້ນ. 1 20 21 22 2 x ການວິເຄາະດ້ວຍກ້ອງຈຸລະທັດສະແກນເອເລັກຕຣອນ (SEM) (ຮູບປະກອບເສີມ ) ແລະກ້ອງຈຸລະທັດສົ່ງເອເລັກຕຣອນ (TEM) (ຮູບ ) ທີ່ໄດ້ດຳເນີນການໃນລະຫວ່າງຂະບວນການ CVD ສະທ້ອນໃຫ້ເຫັນການປ່ຽນແປງໃນການເຕີບໂຕແລະຮູບແບບຂອງກາຟີນ. ຫລັງຈາກ 5 ນາທີຂອງຂະບວນການ CVD, ຟິล์ມກາຟີນໜາ 2–3 ຊັ້ນໄດ້ຖືກສັງເກດເຫັນຢ່າງຄຸ້ມຄ່າຢູ່ຕາມໜ້າຂອງ SiO2 (ຮູບ , e), ໂດຍສີຂອງຜົງປ່ຽນເປັນສີດຳ (ຮູບປະກອບເສີມ ). ການເຕີບໂຕຂອງກາຟີນໄດ້ກາຍເປັນທີ່ໂດດເດັ່ນກວ່າຫລັງຈາກ 30 ນາທີຂອງຂະບວນການ CVD, ບ່ອນທີ່ຮູບແບບຂອງແຜ່ນສາມມິຕິເຫັນໄດ້ຢ່າງຊັດເຈນ (ຮູບ , f). ຮູບແບບ TEM ທີ່ຂະຫຍາຍໃຫຍ່ຂຶ້ນ (ຮູບ ) ໄດ້ບັນທຶກການຈັດລຽງອາໂຕມຂອງຫົກແຈໃນສ່ວນໜຶ່ງຂອງກາຟີນ, ເຊິ່ງສະທ້ອນໃຫ້ເຫັນລະນາບພື້ນຖານຂອງມັນ. ຫລັງຈາກ 30 ນາທີ, ກໍ່ໄດ້ສັງເກດເຫັນວ່າຂະໜາດຂອງອະນຸພາກນາໂນ SiO2 ໄດ້ຫຼຸດລົງຈາກ 28.2 ເປັນ 15.3 nm ໂດຍສະເລ່ຍ (ຮູບປະກອບເສີມ ). ນີ້ເກີດຂຶ້ນເນື່ອງຈາກການ 3a–f 1a–g 1b 3g 1c 1g 4