Хурдан цэнэглэх, Удаан эдэлгээ: Литийн батерейг сайжруулсан графен техникийн тухай

Зохиогчид: Сон Ин Хёк Пак Жонг Хван Парк Сон Ён Парк Квангжин Хан Санг Ил Шин Жэхо Дүү Сөок-Гван Хван Юн Ил Чан Хук Чой Жан Вүүк Хураангуй Бусад шинж чанаруудыг алдагдуулж нэг шинж чанарыг сайжруулах нь чухал үзүүлэлтүүдийн хоорондын харилцан хамаарлаас болж лити-ион батерейнд хэцүү байдаг. Энд бид графен–цахиурын нэгдлийг, графен бөмбөлөг гэж нэрлэдэг, химийн уурын байгууламжийн процессыг тайлагнаж байна. Цахиурын исэлтэй нано хэсгүүд бүхий гурван хэмжээст бүтэц нь 1 wt% графен бөмбөлгийг ч гэсэн нийтлэг байдлаар никель-баян давхар катод дээр Nobilta тээрэмдэх процессын тусламтайгаар жигд хучлах боломжийг олгодог. Графен бөмбөлгийн бүрхүүл нь хортой урвуу урвалуудыг дарангуйлж, үр ашигтай дамжуулагч замыг бий болгосноор мөчлөгийн амьдрал, хурдан цэнэглэх чадварыг сайжруулдаг. Графен бөмбөлөг нь өөрөө 716.2 mAh g⁻¹ өндөр хувийн багтаамжтай анод материал болгон ашиглагддаг. Графен бөмбөлөггүй хяналтын эстэй харьцуулахад графен бөмбөлгийг агуулсан бүрэн эсийн багтаамж нь эзлэхүүний энергийн нягтралыг 27.6% -иар нэмэгдүүлдэг бөгөөд 5C ба 60°C температурт 500 мөчлөгийн дараа 78.6% багтаамж хадгалах өндөр чадвартай 800 Wh L⁻¹ худалдааны эсэд хүрэх боломжийг харуулж байна. Оршил Лити-ион батерей (LIB) -ийг тасралтгүй хөгжүүлэх нь энергийн нягтрал, эрчим хүчний нягтрал, мөчлөгийн амьдрал, аюулгүй байдал зэрэг олон талын сайжруулалтыг авчирсан. Одоогийн байдлаар, гар утасны IT төхөөрөмжүүд нь LIB-ийн хэрэглээний ихэнх хэсгийг эзэлдэг бөгөөд орчин үеийн хамгийн сүүлийн үеийн LIB-ийн үйл ажиллагааны үзүүлэлтүүд ихэнхдээ сэтгэл ханамжтай байдаг¹ ² ³. Гэсэн хэдий ч, цахилгаан тээврийн хэрэгсэл (EV) LIB зах зээлд нэвтэрсэнтэй холбогдуулан, үндсэн электрохимийн шинж чанарууд илүү хэцүү стандартыг тавьж байна; хурдан цэнэглэх, өндөр хурдтай ажиллагаанд зориулж илүү өндөр энергийн нягтрал шаардлагатай байдаг бол аюулгүй байдал нь EV-ийн хэрэглээнд зайлшгүй чухал хүчин зүйл юм. Эдгээр үндсэн шинж чанаруудын хоорондын харилцан хамаарлыг даван туулах нь маш хүндрэлтэй байдаг; нэг шинж чанарыг бусад шинж чанаруудыг алдагдуулахгүйгээр сайжруулах нь ихэвчлэн энгийн зүйл биш юм. Ийм харилцан хамаарал нь ялангуяа энергийн нягтрал ба хурдан цэнэглэх (эсвэл эрчим хүчний чадамж) хооронд тодорхой харагддаг. Наноматериудыг идэвхтэй бүрэлдэхүүн хэсэг болгон ашиглах⁴ ⁵ ба нүүрстөрөгчийн наноматериудыг дамжуулагч бодис болгон оруулах⁶ ⁷ ⁸ нь ионы дамжуулалтын зай болон дотоод эсэргүүцлийг бууруулснаар цэнэглэх хурдыг сайжруулсан боловч эдгээр аргуудын ихэнх нь одоогийн LIB технологид хэрэгжүүлэхээс өмнө цаашид сайжруулах шаардлагатай байна. Наноматериудын бөөгнөрсөн нягтрал нь энгийн микро хэсгүүдтэй харьцуулахад хамаагүй бага байдаг нь эзлэхүүний энергийн нягтралд сөргөөр нөлөөлдөг бөгөөд энэ нь олон LIB хэрэглээнд гравиметрик байдлаас чухал хүчин зүйл юм. Дотоод эсэргүүцлийг бууруулах зорилгоор графен зэрэг нүүрстөрөгчийн наноматериудыг нэгтгэх нь лабораторийн хэмжээний электродуудын цахилгаан дамжуулалтыг нэмэгдүүлэхэд үр дүнтэй болох нь тогтоогдсон. Гэсэн хэдий ч, нүүрстөрөгчийн наноматериудын бага жингийн агуулгыг (жишээ нь, <3 wt%) их хэмжээний суспензийн процессд жигд хуваарилах нь хараахан батлагдаагүй байна. Гадны элементүүдээр допинг хийх⁹ ¹⁰ эсвэл стехиометрийн хяналт¹¹ ¹² ¹³ -ээр одоогийн идэвхтэй материалуудыг өөрчлөх нь Li ионы шилжилтийг нэмэгдүүлж, улмаар энгийн хэмжээтэй идэвхтэй материалуудын цэнэглэх хурдыг нэмэгдүүлж чадна. Гэсэн хэдий ч, эдгээр аргуудын ихэнх нь хувийн багтаамжгүйгээр үр дүнтэй байдаг. Нэмж дурдахад, энергийн нягтрал ба хурдан цэнэглэхээс гадна, урт мөчлөгийн амьдралыг хангах, ялангуяа өндөр температурт (жишээ нь, 60°C) өндөр багтаамжтай электродын материалуудыг агуулсан дэвшилтэт LIB-д одоогоор сорилт хэвээр байна. Никель (Ni)-баян ба Li-баян давхар оксидын материалууд нь сонгодог LiCoO₂ хувилбартай харьцуулахад илүү өндөр хувийн багтаамжтай тул ирээдүйн катодын материалууд гэж тооцогддог боловч цэнэглэх явцад зайлшгүй явах цэнэгийн холимог нь давхар бүтэцийг spinel эсвэл rock-salt бүтэц рүү муутгах нь сайн мэддэг бөгөөд энэ нь электродын гадаргуу дээрх хүсээгүй урвуу урвалуудтай хамт явагддаг. Одоог хүртэл хийсэн מאמцлагаа бодолцоход, энергийн нягтрал ба мөчлөгийн амьдралыг бага зэрэг алдагдуулахгүйгээр хурдан цэнэглэх боломжийг шууд хангах хамгийн боломжит шийдлүүдийн нэг бол идэвхтэй материалууд дээр жижиг хэмжээгээр жигд хучих боломжтой дамжуулагч хамгаалалтын материалыг олох явдал юм. Илүүдэл Li металл хуримтлагдахаас сэргийлэхийн тулд анод материалуудыг хөгжүүлэх нь бас зайлшгүй шаардлагатай. Энд бид графен–цахиурын исэл (SiOₓ) нэгдлийг, графен бөмбөлөг (GB) гэж нэрлэдэг, өндөр багтаамжтай Ni-баян давхар катодын материал болон LIB анодын материал болгон тайлагнаж байна. АGВ нь SiOₓ нано хэсгийн төв болон эргэн тойрон дахь графен давхаргуудаас бүрддэг бөгөөд энэ нь гурван хэмжээст (3D) попкорн шиг бүтэцийг бүрдүүлдэг. SiOₓ нано хэсгүүд нь олон талын үүрэг гүйцэтгэдэг, тухайлбал, SiOₓ –графен интерфэйс дээр цахиурын карбидын (SiC) үүсэхээс урьдчилан сэргийлэх, катодын материал дээр GB-ийг жигд хучах, мөн GB-ийг анод материал болгон ашиглах үед өндөр хувийн багтаамжийг хангах явдал юм. Ni-баян давхар катод дээр GB-ийн жигд хучилт нь электролиттэй интерфейсийн тогтвортой байдал болон электродын дамжуулалтыг сайжруулж, катодын мөчлөгийн чадварыг ихээхэн сайжруулдаг. GB-ийн өвөрмөц давуу талыг харгалзан үзвэл, GB-хучигдсан катод ба GB анодыг агуулсан бүрэн эс нь худалдааны нөхцөлд ойролцоогоор 800 Wh L⁻¹ эзлэхүүний өндөр энергийн нягтлыг бий болгох боломжийг харуулж байна, мөн 5C ба 60°C температурт 500 мөчлөгийн дараа 78.6% багтаамж хадгалагдана. Үр дүн Графен бөмбөлгийн синтез Попкорн шиг GB-ийг синтезлэхийн тулд бид графен ургуулах химийн уурын байгууламжийн (CVD) процессыг боловсруулсан. SiO₂ нано хэсгүүдтэй (20-30 нм диаметртэй) хамт CH₄ хийг 1000°C температурт зууханд оруулсан. Энэ температурт CH₄ нь SiO₂-ийг SiOₓ (x < 2) болгон бууруулж, устөрөгчийн атомуудыг үүсгэнэ. Мөн OH⁻ нь дараах урвалын дагуу зэрэг үүсдэг: Энэ урвалын гол онцлог нь үүссэн SiOₓ нь графен ургуулахад каталитик үүрэг гүйцэтгэдэг бөгөөд OH⁻ нь графитийн нүүрстөрөгчийг графен руу хувиргахад тусалдаг¹⁴ ¹⁵. Зөөлөн исэлдүүлэгчдийн графитийн нүүрстөрөгч үүсэхэд үзүүлэх нөлөө нь саяхан ойлгомжтой болсон¹⁶ бөгөөд зөөлөн исэлдүүлэгчгүйгээр, нүүрстөрөгчийн нэгдэл үүсэх нь илүү давамгайлдаг. Гэсэн хэдий ч, зөөлөн исэлдүүлэгч байгаа то ફર, CO эсвэл CO₂ үүсэх урвал нь нүүрстөрөгчийн атомыг аморф нүүрстөрөгч болгон хувиргахад илүү давуу талтай байдаг. Бодит байдал дээр, металл катализаторуудыг ашиглан графен ургуулах нь ижил төстэй байдлаар явагддаг¹⁷ ¹⁸ ¹⁹, тэнд байгаа хүчилтөрөгч нь металлын гадаргуу дээр графитийн нүүрстөрөгч үүсэхэд илүү давуу талтай урвалд хүргэдэг. Зөөлөн исэлдүүлэгч нь исэлдүүлэлтийг таслан зогсоож, цахиурын карбид (SiC) үүсэхээс сэргийлдэг¹⁹. CH₄-ийн цэвэр хэрэглээнд суурилсан бидний урвалын схемд, 900°C-аас доош температурт, графен бараг л ургуулсангүй. Үүний эсрэгээр, 1050°C ба түүнээс дээш температурт, графен ургуулт нь графит үүсэхэд хэт хурдан болсон (Нэмэлт зураг ¹). Тэмдэглэх нь, 1000°C ургуулах температур нь металлгүй катализаторуудыг ашиглахгүйгээр Si ба SiO₂ субстрат дээр CVD-д суурилсан графен ургуулахад ихэвчлэн ашиглагддаг температураас (1100–1400°C) бага байна²⁰ ²¹ ²². Ургуулах орчны чухал үүрэг нь хяналтын туршилтаар тодорхой болсон (Нэмэлт зураг ²) ; уламжлалт CVD процесст металл катализаторуудыг ашигладаг бол 1000°C температурт CH₄ ба H₂-ийг 3:7 эзлэхүүний хурдаар оруулсан. CH₄-ийн задрал нь их хэмжээний H₂-ээс хамааралтай байсан тул графен ургуулт нь бидний синтез протоколд үр ашигтай графен ургуулахад цэвэр CH₄-ийн хэрэглээний ач холбогдлыг харуулсан. Ерөнхийдөө, урвагч сонголт ба урвуу температур нь металл катализаторуудыг ашигласан өмнөх CVD хувилбаруудаас ялгаатай бөгөөд 3D гурван хэмжээст бүтэцтэй графен–SiOₓ нэгдлийг бий болгоход чухал үүрэг гүйцэтгэдэг. CVD процессын явцад хийсэн хэд хэдэн электрон микроскоп (SEM) (Нэмэлт зураг ³a–f) ба дамжуулагч электрон микроскоп (TEM) шинжилгээ (Зураг ¹a–g) нь графен ургуулт ба морфологийн өөрчлөлтийг харуулж байна. CVD процесст 5 минут хийсний дараа, SiO₂-ийн гадаргуу дагуу 2-3 давхар нимгэн графен хальс бага зэрэг ажиглагдсан (Зураг ¹b, e), бөөмийн өнгө хар болсон (Нэмэлт зураг ³g). CVD процессд 30 минут хийсний дараа графен ургуулт илүү тодорхой болсон бөгөөд 3D хуудасны морфологи нь тодорхой харагдсан (Зураг ¹c, f). Өндөр томруулагч TEM зураг (Зураг ¹g) нь графений хэсэгт байрлах зургаан өнцөгт атомын байршлыг харуулж байна, энэ нь түүний суурь гадаргууг илэрхийлдэг. 30 минутын дараа, SiO₂ нано хэсгүүдийн хэмжээ дунджаар 28.2-аас 15.3 нм болж буурсан нь ажиглагдсан (Нэмэлт зураг ⁴). Энэ нь графен ургуулт нь дээр дурдсан SiO₂-ийн бууралт ба дараа нь OH⁻ үүсэхээс шалтгаалсан. Иймээс, нийт графен ургуулт нь үүссэн бөөмсийн зардалаар 3D асар том бүтэц рүү өргөжиж буй попкорнтой маш төстэй юм (Зураг ¹h). SiO₂ нано хэсгүүдээс графен ургуулт. – TEM шинжилгээ CVD ургуулахаас өмнө, 5 минутын ургуулалтын дараа, 30 минутын ургуулалтын дараа (хэмжээний баар, 50 нм). – Тус тусын томруулсан зураг (хэмжээний баар, 10 нм). 30 минутын ургуулалтын дараа графений өндөр томруулсан зураг ба түүний атомын түвшний харагдац (инсет) (хэмжээний баар, 2 нм). SiO₂ нано хэсгүүдээс попкорн шиг графен ургуулах график дүрслэл a c a b c d f g h Графен ургуулалт нь нэмэлт шинжилгээгээр илүү тодорхой болсон. Ургуулалтын явцад авсан рентген дифракц (XRD) спектр нь 2θ = 26.44° ба 44°-ийн оргилууд нь графитийн (002) ба (101) гадаргуутай холбоотой байдаг бөгөөд энэ нь графитийн нүүрстөрөгчийн үүсэлтийг дахин баталж байна²³ ²⁴ ²⁵ (Зураг ²a). Графен ургуулт нь мөн рентген фотоэлектрон спектроскопи (XPS) шинжилгээний C 1s салбарт 284.5 ба 291.5 eV оргилуудад илэрсэн²² ²³. 284.5 eV оргилол нь C–C ба C=C бондуудад хамааралтай бөгөөд 30 минутын ургуулалтын дараа графитийн нүүрстөрөгч үүсэхээс шалтгаалж тодорхой харагдсан. XPS шинжилгээний Si 1s салбар дахь XPS оргилуудын ахиц дэвшил нь CVD процесст SiO₂-ийн бууралтыг дахин баталж байна²⁵ (Зураг ²c). 103 eV орчим дахь оргилол нь Si-ийн исэлдүүлэх зэрэг буурснаас болж холболтын бага энерги рүү шилжсэн. Эрчим хүчний дисперс шинжилгээ (EDX) mapping (Зураг ²d–g) дахь нүүрстөрөгчийн дохионы байдал ба эрчимээс харахад, 5 минутын дараа ч гэсэн, SiOₓ гадаргуу дагуу графен ургуулт явагдсан бөгөөд 30 минутын дараа, ургуулт нь зураг бүхэлдээ тархсан бол Si ба O нь жигд тархсан байсан. Графены жингийн хэсэг, ба RAMAN шинжилгээ, хувийн гадаргуугийн талбай, GB-ийн дамжуулалтын янз бүрийн CVD ургуулах хугацаанд хураангуйлагдсан байна (Хүснэгт ¹). Хувийн гадаргуугийн талбайны хувьд, ургуулах хугацаа нэмэгдэхийн хэрээр буурсан нь графен давхаргууд хоорондоо холбогдож, овоолдогтой холбоотой. RAMAN ба thermogravimetric (TG) шинжилгээний дэлгэрэнгүй спектрүүд нь Нэмэлт зураг ⁵-д үзүүлэв. Графен бөмбөлгийг ургуулах явцад шинжлэх. – CVD процесст графен ургуулалтыг хянах XRD, C 1s салбарт XPS, Si 2p салбарт XPS ашиглан. – 5 минутын дараа, , 30 минутын дараа SiO₂-оос графен ургуулах EDX элементийн зураглал (хэмжээний баар, 50 нм) a c a b c d g f g Никель-баян катодын материал дээр графен бөмбөлгийг хучих Атомын зузаантай давхар бүтэцтэй тул графен нь өндөр багтаамжтай давхар катодын материалуудын гадаргууг хамгаалах хамгийн тохиромжтой материалуудын нэг гэж тооцогддог. Гэсэн хэдий ч, уламжлалт уусмалын процесст⁶ ⁷ ⁸ ⁹, нэгдэл нь графен хуудаснууд хоорондын хүчтэй электростатик харилцан үйлчлэлээс үүдэлтэй байдаг тул жижиг хэмжээний графенээр жигд хучилт хийх нь тийм ч энгийн биш юм. Нэгдлийг шийдвэрлэхийн тулд, өөр нэг арга нь бөмбөг тээрэмдэх процессоор графитийг бутлах явдал болов¹⁰. Гэсэн хэдий ч, энэ процесс нь ихэвчлэн удаан (6 цагаас дээш) байдаг ба хамгийн чухал нь эх материалын кристаллийн бүтэцэд гэмтэл учруулж болно. Мөн CVD процесст аморф нүүрстөрөгчийн бүрхүүл нь Ni-баян оксидын материалуудад тохиромжгүй болохыг тэмдэглэх нь зүйтэй³¹ ³² учир нь CVD процессууд нь шилжилтийн металлуудыг (TMs) ялгаруулж, эх материалын анхны кристаллийн бүтэцийг алдагдуулдаг. Үүний эсрэгээр, энэ судалгаанд синтезлэгдсэн GB нь худалдааны LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂ бөөм (хэмжээ = ~10 мкм) дээр 1 wt% бага хэмжээгээр Nobilta тээрэмдэх процессын тусламтайгаар хучигддаг. Хучилт процесс нь маш хурдан (~10 минут, 3000 rpm). SiOₓ үр нь ийм жижиг жингийн агуулгыг хучах боломжийг олгоход чухал үүрэг гүйцэтгэдэг. SiOₓ үр нь GB-ийн 57.5 wt% -ийг эзэлдэг (Нэмэлт зураг ⁵b) ба хучилт процесст, тэдгээрийн байдал нь GB-д LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂ гадаргуу дээр үйлчлэхэд шаардлагатай хөдөлгөөний хүчийг бий болгож, улмаар нягт холболт, улмаар нэвчилтийг үүсгэдэг. Энэ үзэгдлийг батлахын тулд, ижил хучилт процесс нь 0.5 wt% SiO₂ ба 0.5 wt% графены холимогтой хийгдсэн. Энэ дээж нь LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂ бөөмүүд хоорондын хэт хурц мөргөлдөөн, мөн LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂ бөөмүүд болон реакторын хана хоорондын мөргөлдөөнөөс болж NCM-ийн гадаргуугийн бүсэд кристаллийн гэмтэл учирсан (Нэмэлт зураг ⁶). Эдгээр үзэгдлүүд нь SiOₓ бөөмийн төвүүдийг агуулсан 3D гурван хэмжээст бүтэц байхгүй үед үүсдэг графены нэгдэлээс болж ихэссэн. GB-ийн жигд хучилт нь SEM ба TEM шинжилгээгээр батлагдсан. Цаашид, GB хучилт хийхээс өмнө ба дараах LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂ нь тус тус цэвэр NCM ба GB-NCM гэж тэмдэглэгдэнэ. NCM-ийн бага томруулагч SEM зургууд нь GB-ийн бага агуулгын жигд тархалтаас болж GB хучилт хийхээс өмнө ба дараа (Зураг ³a, b, Нэмэлт зураг ⁶a, b) ижил төстэй морфологи үзүүлсэн. Гэсэн хэдий ч, GB-NCM-ийн өндөр томруулагч SEM зураг нь GB нь NCM-ийн анхдагч бөөмүүдийн хоорондох зайнд нэвчсэн болохыг харуулж байна (Зураг ³d). GB-ийн нэвчсэн нь TEM зургуудад илүү тодорхой ажиглагдсан (Зураг ³e, f). Зураг ³e-д, NCM бөөмийн дээгүүр (улаан цэгт шугам хар) графен хальс ажиглагдсан. Зарим графен хальс нь NCM гадаргуугийн дагуу байрлаж, 3.3 эсвэл 3.4 Å-ийн тогтмол давхаргын зайтай байсан (Зураг ³f). GB-ийг LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂ дээр хучих. LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂-ийн SEM зургууд , хучилтаас өмнө (хэмжээний баар, тус тус 2 мкм ба 200 нм) ба , GB хучилтын дараа (хэмжээний баар, тус тус 2 мкм ба 200 нм). , Графен хальсны TEM зургууд (хэмжээний баар, 5 нм). LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂-ийн анхдагч бөөмүүдийн хооронд байрласан ба LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂-ийн анхдагч бөөмүүдийн дагуу хучигдсан. , C ба Si-ийн хувьд LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂-ийн EDX элементийн зураглал (хэмжээний баар, 2 мкм). хучилтаас өмнө ба GB хучилтын дараа. GB, цэвэр LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂ ба GB-хучигдсан LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂-ийн RAMAN спектр. Ижил гурван дээжээс C 1s салбарт XPS спектр. LiNi₀.₆Co₀.₁Mn₀.₃O₂ дээр GB хучилтын схем a c b d e f e f g h g h i j k GB хучилтаас өмнө ба дараах EDX элементийн зураглал (Зураг ³g, h) нь GB-ийн жигд тархалтыг NCM бөөм бүрийн бүх талбайгаар харуулж байна. RAMAN шинжилгээнд (Зураг ³i), цэвэр NCM нь ямар нэгэн оргил харуулсангүй, харин GB-NCM-ийн хучилтанд GB-ийн D, G, ба 2D оргилууд нь цэвэр GB-ийнхтэй тохирч байсан. Үүнтэй адилаар, GB-NCM-ийн XPS C 1s спектрт C–C ба C=C бондуудаар илэрхийлэгдсэн графитийн нүүрстөрөгчийн үүсэлт ажиглагдсан (Зураг ³j). 291.5 eV дахь дагалдах оргилол нь графитийн нүүрстөрөгчийн үүсэлтийг баталж байна²³. Чухал нь, 1 wt% GB нэмснээс ч гэсэн NCM бөөмийн дамжуулалтыг ихээхэн сайжруулсан; бөөм хэлбэрээр хийсэн цэвэр NCM ба GB-NCM нь тус тус 1.13 × 10⁻³ ба 9.72 × 10⁻² s cm⁻¹ дамжуулалтын утгыг үзүүлсэн. Ерөнхийдөө, GB-ийн өвөрмөц гурван хэмжээст бүтэц нь микрометр хэмжээтэй NCM бөөм дээр хамгийн бага агуулгаар (Зураг ³k) жигд хучах боломжийг олгодог бөгөөд NCM-ийн харьцангуй бага дамжуулалтыг нөхнө. Батерейний туршилт GB хучилтын батерейний гүйцэтгэлд үзүүлэх нөлөөг шалгахын тулд, цэвэр NCM ба GB-NCM хоёулаа эхлээд хагас эсийн тохиргоонд, Li металл дискний эсрэг ба лавлагаа электродоор шалгагдсан. Бид эхлээд ашигласан электродын нөхцлүүдийг хэлэлцэх бөгөөд энэ нь GB-д суурилсан аргын